Kaj je cilj zastrupitve v magnetronsko Rasprašenje? Kakšni so splošni vpliv dejavnikov in rešitve?

1. cilj zastrupitve

◆Kopičenje pozitivnega iona

Ko cilj je zastrupljena, izolirnega film nastane na ciljni površini. Ko pozitivni ioni dosežejo ciljno površino katode, ni mogoče neposredno vnesti v to zaradi pregrade izolacijsko plast, vendar se kopičijo na ciljni površini. Torej, mrzlo polje zlahka nastaja kot tudi razrešnici loka-loka, osvetlitev.  Tako da katodna Rasprašenje ni mogoče nadaljevati.

◆Anoda izgine

Ko cilj je zastrupljena, izolirnega film tudi odlagajo na stene ozemljeno vakuumske komore. Elektroni, ki dosežejo anode ne more vnesti anode in izginejo.

2. vplivnih dejavnikov ciljne zastrupitve

Dejavniki, ki vplivajo na ciljni zastrupitev so predvsem razmerje jalove in Rasprašenje plina. Pretirano reakcijo plina bo povzročil cilj zastrupitve. V procesu reaktivni Rasprašenje proces Rasprašenje kanal območje na ciljno površino je zajeta reakcijski produkt ali reakcijski produkt je olupljeni off ponovno izpostaviti kovinske površine, katerih trgovanje in ob zavojev.

Če stopnjo nastanek spojina je večja od stopnje, da se odstrani spojina, območju zajete krmnih povečuje. V določenih moči, količino plina reaktant, vključene v nastajanje snovi povečuje in povečuje stopnjo nastajanja spojina. Če količina reaktant plina poveča preveč, območje krmnih povečuje.

Če pretok plina reaktant ni mogoče prilagoditi v času, stopnja rasti krmnih pokritost območja ne more zatreti in Rasprašenje kanal bo nadaljnje kriti spojine, ko Rasprašenje ciljne spojine, popolnoma pokrita z cilj je popolnoma zastrupil.

3. raztopina cilj zastrupitve

◆Sprejme srednje frekvence ali RF moč.

◆Sprejme zaprto zanko za nadzorovanje količine reaktant plina.

◆Uporaba twin ciljev

◆Nadzor preoblikovanje premaze način: pred premazom, zbiranje histerezo učinek krivulje cilj zastrupitve, da sesalni pretok nadzirati na sprednji strani ciljne zastrupitve, in zagotoviti, da proces vedno v načinu ki pred stopnje nanašanja močno pade.