Princip primerjave tehnologije obdelave elektronskih žarkov in ionskih žarkov

Načelo   primerjava tehnologije obdelave elektronskih žarkov in tehnologije ionskega snopa

Obdelava elektronskih žarkov poteka pod vakuumom in z visoko energijsko gostoto elektronskega žarka po osredotočanju na vpliv velike hitrosti na minimalno površino v zelo kratkem času (v delčku mikrosekund) večino svoje energije pretoči v toplotno energijo , povzroči vpliv materiala obdelovanca, ki je dosegel več kot nekaj tisoč stopinj Celzija, s čimer povzroči delno taljenje in uparjanje materialov s pomočjo vakuumskega sistema. Različne namene obdelave je mogoče doseči z nadzorom gostote energije elektronskega žarka in časa vbrizgavanja energije. Toplotno obdelavo z elektronskimi žarki lahko izvedemo, če material segrevamo lokalno. Varjenje z elektronskimi žarki se lahko izvede z delnim taljenjem materiala. S povečanjem energijske gostote elektronskega žarka se material stopi in uplinja, tako da ga je mogoče prebijati, rezati in obdelati. Litografijo elektronskih žarkov lahko uporabimo za ustvarjanje kemijskih sprememb, če se elektronski žarek z nizko energijsko gostoto uporablja za bombardiranje polimernih fotoobčutljivih materialov.

Obdelava z ionskim žarkom je podobna obdelavi z elektronskimi žarki po tem, da se ionski žarek, ki ga ustvarja ionski vir, pospeši, da se fokusira v vakuumskih pogojih, kar povzroči, da zadene površino obdelovanca. Različni so pozitivno nabiti ioni in njegova kakovost je tisoč, več deset tisočkrat večja od elektronike, na primer kakovost iona argona je 72000-krat večja kot elektrona, tako da, ko se ion pospeši do visoke hitrosti, ima elektronski žarek ionskega žarka večji vpliv Kinetična energija se zanaša na energijo mikro mehanskih vplivov, namesto da bi jo kinetična energija predelala v toplotno energijo. Fizikalna osnova obdelave ionskega žarka je udarni učinek, brizganje in injekcijski učinek, ko ionski žarek zadene materialno površino. Ko se ioni z določeno kinetično energijo nagnejo na površino obdelovanca, se atomi na površini lahko izločijo. Če je obdelovanec neposredno uporabljen kot cilj ionskega bombardiranja, se površina obdelovanca izseka z ioni. Če je obdelovanec postavljen blizu ciljnega materiala, se bodo atomi ciljnega materiala razpršili na površino obdelovanca in se odlagali in adsorbirali z brizganjem, tako da je površina obdelovanca prevlečena s prevleko iz atomov ciljnega materiala. Če je ionska energija dovolj velika, da navpično zadene površino obdelovanca, se ioni vrtajo na površino obdelovanca, kar je učinek ionske implantacije.

IKS PVD Elektronski stroj za optično prevleko beam IKS-OPT2700, Več podrobnosti, dobrodošli na iks.pvd@foxmail.com